為了突破傳統存儲的瓶頸，新型非易失性存儲技術正在崛起，包括MRAM（磁阻隨機存取存儲器）、ReRAM（阻變隨機存取存儲器）和PCM（相變存儲器）。
EM6KA32H LPDDR2 SDRAM是一款高速CMOS動態隨機存取存儲器，總容量達268,435,456位。它采用雙倍數據速率架構，數據傳輸效率大幅提升。
傳統的存儲解決方案往往依賴超級電容器或電池來實現掉電保護，這不僅增加了系統復雜性和成本，還可能引入可靠性隱患。Everspin的STT-MRAM設備徹底改變了這一局面。通過利用自旋轉移扭矩技
